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6月21日，国内半导体前道制程量测设备公司优睿谱宣布，公司的碳化硅自动光学位错微管检测设备SICD系列交付客户。
作为重要的宽禁带半导体材料，碳化硅具有高临界击穿场强、高热导率、高电子饱和漂移速率等优点，用其制造的高温大功率器件，具有优越的机械特性和物理、化学稳定性等特点。
在碳化硅衬底上生长同质外延时，衬底中的位错缺陷会向外延层延伸和转化，导致外延层中出现大量扩展型缺陷。对不同类型的位错和微管缺陷密度和分布进行检测，是碳化硅衬底制造中非常重要的步骤和环节。
目前，碳化硅衬底片位错缺陷检测通常在腐蚀后进行位错检测，目前市场上的位错微管检测设备检测速度极慢，检测整片晶圆往往需要数小时，在实际生产中，往往是选择性地测量晶圆部分区域的位错缺陷密度，而非对整个晶圆进行检测，无法实现晶圆的整体位错分布的检测，也无法与碳化硅衬底片自动化生产系统相匹配。
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